Sílabo de ACTIVIDAD FORMATIVA IV: VIDA Y OBRA DE ANTENOR ORREGO para ingeniería Electrónica--UPAO

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Sílabo de METODOLOGIA DEL APRENDIZAJE UNIVERSITARIO para ingeniería Electrónica--UPAO

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Sílabo de Complemento Matemático para ingeniería Electrónica--UPAO

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Sílabo de Física General para ingeniería Electrónica--UPAO

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Sílabo de Matemática I para ingeniería Electrónica--UPAO

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Sílabo de Matemática II para ingeniería Electrónica--UPAO

 

Aquí esta el Sílabo de Matemática II

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Sílabo de Matemática III para ingeniería Electrónica--UPAO

Aquí esta el silabo de Matemática III

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Sílabo de Electrónica Digital I para ingeniería Electrónica--UPAO

 Aquí esta el silabo de Electrónica Digital I ELEC-181

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Sílabo de Química General para ingeniería Electrónica--UPAO

Aquí esta el silabo de Química General CIEN-537

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Aumentar el tamaño de Letra en MATLAB 2021a

Suele pasar que la letra por defecto que tiene Matlab es muy pequeña, aquí les traigo la solución  para agrandar el tamaño de la letra.

Como podemos ver la letra que viene por defecto después de la instalación es muy pequeña, mas aun si tenemos una pantalla grande. 

 Lo primero que tenemos que hacer es hacer click en PREFERENCES 

Luego le damos click en Fonts(fuentes)

En Fonts podremos cambiar el tamaño de letra a gusto y también podremos cambiar la fuente de la letra.

En mi caso lo aumente a 18 para que lo pueda ver.

Después de hacer los cambios de damos a aceptar y listo 

Ahora la letra es más grande.

Espero que les haya servido.

Dispositivos Electrónicos: Ejercicios Propuestos Ingeniería Electrónica

 

Aquí hay algunos ejemplos de Dispositivos Electrónicos, espero que les guste y se sirva para que practiquen..

1.Calcule la densidad de la portadora intrínseca del Silicio en 
a) T = 300K 
b) T = 600K
Debe incluir el efecto de la variación de E con la temperatura con la temperatura. 

Solución:

En la siguiente tabla se puede ver la densidad y energía de la banda prohibida en T=300k

Semiconductor	Nc$$cm^{-3}$$	Nv$$cm^{-3}$$	Eg(eV)
Si	3.22 x 10^19	1.83 x 10^19	1.12
Ge	1.03 x 10^19	5.35 x 10^18	0.66
GaAs	4.21 x 10^17	9.52 x 10^18	1.42

Si = silicio   Ge= germanio   GaAs=Arseniuro de Galio 

a) Para T=300k y partiendo de: 

  

utilizando los valores de Nc y Nv de la tabla y usando para E = 1,12 eV determinamos $$n_{i}^{2}$$  como: 

$$n_{i}^{2}=N_{c}.N_{v}.e^-{\frac{Ey}{kt}}$$ 

Luego operamos y nos quedaría como resultado lo siguiente

Ahora despejamos despejamos el cuadrado de "ni"

b) Para T=600k, determinamos la Eg, a partir de la relación de la tabla 2-2, es 1,032eV Usamos la siguiente ecuación:

Luego reemplazamos con los datos 

Finalmente despejamos: 

Finalmente despejamos y nos queda :

2.Determine la ubicación del nivel de Fermín con respecto a la mitad de a banda prohibida intrínseca del Silicio.

Solución: 

Usamos los valores de Nv y Nc de la tabla del anterior ejercicio.

Calculamos para el Silicio intrínseco:

Calculamos para el GaAs intrínseco:

Observemos que el nivel de Fermin a 300k 

3.A una muestra de Silicio intrínseco agregamos 10^17 átomos  por cc de Boro Determine la densidad de la mayorías y de las minorías con las siguientes temperaturas 

a) T = 300k

b) T = 600k

Solución: 

a) en el caso de 300k asumimos que todas la impurezas están ionizadas de modo que nos quedaría así la ecuación:

La neutralidad requería esta dada por:

Resolviendo las ecuaciones 1 y 2 simultáneamente, tenemos...

b) En el caso de 600k...

 $$n_{i}^{2} = 11.137x10^{30}[cm^{-6}]$$

Ecuación 3

$$n_{p} = 11.137x10^{30}[cm^{-6}]$$ 

Ecuación 4

$$ n+9x10^{16}= p+10^{17}$$  

  

4.Una muestra de Silicio intrínseco se dopa con 10^17 átomos /cm a la 3 de fosforo

Calcula la densidad de los electrones y los huecos con una temperatura de:

a) T = 300k

b) T = 600k

Solución: 

a) Cuando es T=300k encontramos que 

5.(a)Determine la ubicación del nivel de Fermín, con respecto a Ec y Ef cuando 10^16 átomo de fósforos se añaden átomos por CC a una muestra de Boro por CC reemplaza a los átomos de Silicio intrínseco a T =300k.

(b)Repetir el inciso anterior con 10^15 átomos de Boro por CC reemplazando los átomos de fosforo

(c) Repetir el inciso "a" pero con una temperatura de 600k 

(d) Repetir el inciso "a" con 10^18 átomos reemplaza a los 10^16 átomos de fosforo

Solución: 

a) en el c

6.Determinar la conductividad del Silicio intriseco a 300k; repetir el inciso para una muestra de Silicio dopado con 10^17 cm-3 de fosforo. 

Solución: 

a) en el c

7. Una muestra de Silicio a 300k tiene una resistividad de 5 ohm-cm. Supongo que el arsénico es el único dopante:

Solución: 

a) en el c

8. Una muestra de Silicio de 300k de 2.5[cm] de longitud y un área de sección transversal de 2mm2 esta dopada con 10^17 [cm^-3] de fósforo y 9x10^16[cm^-3]

Solución: 

a) en el c

9.

Solución: 

a) en el c

Bibliografía: 

William D. Callister, Jr. y David G. Retwitsch . (2010). Materials Science And Engineering an Introduction. Estados Unidos : Wiley.

Cualquier sugerencia me hacen saber en los comentarios. Espero que les haya servido.